Mittels PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) abgeschiedene Siliziumnitrid-(SiN)-schichten wurden vor ca. 5 Jahren als Standard für die Antireflexbeschichtung und Passivierung kristalliner Silizium-Solarzellen eingeführt.
Dabei wird durch Oberflächen- und Volumenpassivierung des Siliziumwafers eine signifikante Steigerung des Wirkungsgrades der Solarzellen im Bereich von mehr als 10% erreicht
Mit der Anlagenserie SiNA® bietet Roth & Rau SiN-Beschichtungsanlagen für verschiedenste Kapazitätsanforderungen von Pilotfertigung (< 5 MWp) bis zur vollautomatischen Massenproduktion (bis 100 MWp) an. Die Anlagen arbeiten im Durchlauf-(In-line)-Verfahren, wobei die Siliziumwafer auf flachen Carriern prozessiert werden. Die Schichtabscheidung erfolgt in einem kontinuierlichen Prozess in einem Silan-/Ammoniakplasma unter Verwendung speziell für diesen Prozess entwickelter Plasmaquellen.
Dank sorgfältiger Prozessoptimierung und langjähriger Erfahrung unter Produktionsbedingungen zeigen die SiN-Schichten sehr gute Passivierungseigenschaften und eine exzellente Homogenität von Schichtdicke und optischen Parametern.
Das Verfahren ist flexibel in Bezug auf Waferformate und –materialien (auch für dünne Wafer hervorragend geeignet) und zeichnet sich durch gute Automatisierungsmöglichkeiten, niedrige Betriebskosten und eine hohe Systemverfügbarkeit aus.
