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Roth & Rau AG |
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| Dünnschicht Solar GmbH |
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| Roth & Rau Microsys. GmbH |
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| CTF Solar GmbH |
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| Shanghai Trading Co. Ltd. |
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100% |
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| Singapore Pte. Ltd. |
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100% |
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| Korea Co. Ltd. |
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100% |
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| Switzerland AG |
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| Australia Pty Ltd. |
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| USA Inc. |
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| India Pvt. Ltd. |
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100% |
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01 |
High Tech für Oberflächen
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Innovative Produkte und Technologien für zukunftsorientierte Anwendungen |
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Das Anlagenkonzept MicroSys stellt eine vielseitig einsetzbare Plattform für plasmagestützte Ätz- und Beschichtungsprozesse wie RIE und PECVD dar, wie sie in vielen industriellen Branchen wie der Mikroelektronik, Mikrosystemtechnik, Nanotechnologie, Optik, Medizintechnik und vielen anderen verwendet werden. Die bearbeitbaren Substratgrößen liegen je nach Ausführung der Anlage und Art des Prozesses im Bereich von 150 bis 300 mm Durchmesser. Die Anlagen sind mit modernen und leistungsfähigen Plasmaquellen (ICP-Quellen oder ECR-Quellen, Parallelplattenreaktoren) ausgestattet und können insbesondere bezüglich des Substrathandlings individuell angepasst werden. Darüber hinaus verfügt Roth & Rau über umfangreiches Know How an Ätz- und Beschichtungstechnologien.
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 Seitenanfang
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300mm Reactive Ion Etching (RIE) System
TECHNOLOGIE
• RIE mit Fluor- oder Chlorchemie
ANWENDUNGSMÖGLICHKEITEN
• RIE von Si, SiO, SiN, GaAs, Metallen und anderen Materialien
SUBSTRATE
• Wafer, flache Substrate oder Substratcarrier bis zu 300 mm Durchmesser
ANLAGENPARAMETER
• Aluminiumprozesskammer
• 300mm ICP-Quelle in Kombination mit RF-Bias
• Substratkühlung
• Substrathandling mit und ohne Carrier
• Load-Lock-System mit automatischem Einzelwafer- / -carrier-Transfer oder Vakuumroboter mit Kassetten-Load-Lock
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Seitenanfang
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PECVD- oder RIE-Laborsystem
TECHNOLOGIE
• PECVD von Si-, SiN- und SiO-Schichten auf der Basis von Silan oder verschiedenen Si-Precursoren (TEOS, HMDSO) und andere Schichtmaterialien • RIE mit Flourchemie
ANWENDUNGSMÖGLICHKEITEN
• PECVD und RIE im Labormaßstab
SUBSTRATE
• Wafer, flache Substrate oder Substratcarrier bis zu 150 mm Durchmesser
ANLAGENPARAMETER
• 160mm Mikrowellen-(ECR)-Plasmaquelle in Kombination mit RF-Bias, alternativ Parallelplattenanordnung
• Substratkühlung / -heizung
• Substrathandling mit und ohne Carrier
• Load-Lock-System mit automatischem Einzelsubstrat-Transfer
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Seitenanfang
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300mm PECVD-System
TECHNOLOGIE
• PECVD von Si, SiN und SiO-Filmen auf der Basis von Silan oder Si-Precursoren (TEOS, HMDSO), DLC (Diamond-like Carbon) auf Basis von Gasgemischen aus kohlenstoffhaltigen Gasen, Edelgasen und H2
ANWENDUNGSMÖGLICHKEITEN
• Applikation und Kleinserienproduktion
SUBSTRATE
• Wafer oder Substratcarrier bis zu 300 mm Durchmesser
ANLAGENPARAMETER
• RF-Parallelplattenanordnung mit variablem Elektrodenabstand
• Substratkühlung / -heizung
• Substrathandling mit und ohne Carrier
• Load-Lock-System mit automatischem Einzelsubstrat- / -carriertransfer oder Vakuumroboter mit Kassetten-Load-Lock
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Seitenanfang
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PECVD-Anlage für die Abscheidung von diamantähnlichen Kohlenstoffschichten (DLC) insbesondere für optische Anwendungen
TECHNOLOGIE
• PECVD auf Basis von Gasgemischen aus kohlenstoffhaltigen Gasen, Edelgasen und H2, RF-Parallelplatte
ANWENDUNGSMÖGLICHKEITEN
• Kleinserienproduktion von Verschleißschutzschichten und Antireflexbeschichtung für optische Bauelemente im IR-Bereich
SUBSTRATE
• plane und leicht gekrümmte Bauteile oder Carrier mit Batches, jeweils bis zu 300 mm Durchmesser
LOAD LOCK
• manuelle Beladung
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Karriere |
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Events |
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13.-17.09.2010 |
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PSE (Roth & Rau MicroSystems GmbH)
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