News:   31.03.2010
Erster Nachhaltigkeitsbericht der Roth & Rau...
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Ad-hoc-Meldungen:   10.02.2010
Roth & Rau AG: 1.379.999 Aktien mit einem...
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Pressemitteilung:   13.08.2010
Roth & Rau AG schließt erstes Halbjahr 2010 erfolgreich ab...
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GaN und GaAlN - ICP RIE GaSb und GaAs
Hochrateätzen von GaAs ECR RIE (Reactive Ion Etching) mit...
für Anwendungen in der...
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  Konzern
Roth & Rau AG
SLS Solarline GmbH
51%
Dünnschicht Solar GmbH
100%
AIS Automation GmbH
100%
Muegge-electronic GmbH
100%
Roth & Rau Microsys. GmbH
100%
Roth & Rau Italy
100%
CTF Solar GmbH
100%
Shanghai Trading Co. Ltd.
100%
Singapore Pte. Ltd.
100%
Korea Co. Ltd.
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Roth & Rau Ortner
100%
Switzerland AG
100%
Australia Pty Ltd.
100%
Romaric Corporation
100%
USA Inc.
100%
India Pvt. Ltd.
100%
 
01 High Tech für Oberflächen
 
 
Innovative Produkte und Technologien für zukunftsorientierte Anwendungen
 
     
GaN und GaAlN - ICP RIE

• Chlorchemie

• Niedrige Bias bis 250 V

• Typische Ätzraten für GaN bis 400 nm/min und für GaAlN bis 150 nm/min


Referenz:

mit freundlicher Genehmigung TU Ilmenau, ZNM


Links:
MicroSys

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GaSb und GaAs

Courtesy of University of Kaiserslautern, Integrated Optics and Microoptics, Physics Department

• 13,56 MHz Parallelplattenreaktor

• Chlorchemie

• Ätzraten 180...200 nm/min


Referenz:
Universität Kaiserslautern, Integrierte Optik und Mikrooptik, Fachbereich Physik


Links:
MicroSys

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Hochrateätzen von GaAs

Courtesy of Walter-Schottky-Institute, Munich

Courtesy of Walter-Schottky-Institute, Munich

• ECR RIE mit RF-bias (13,56 MHz)

• Chlorchemie

• Ätzrate 500...3600 nm/min bei glatter Oberfläche


Referenz:
Walter-Schottky-Institut, München



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ECR RIE (Reactive Ion Etching) mit Fluorchemie

Reactive Ion Etching of SiC / Si with high aspect ratio and smooth surface
Silizium / Siliziumkarbid Nano- und Mikrostrukturen


Sensors for viscosity measurement in liquids

Micro pipes

Micro-Pipes
Die Micro-Pipes realisieren einen Dosierkopf für kleinste wasser-basierende Flüssigkeitsmengen im nl-Bereich. Der Innendurchmesser beträgt 1 µm, die Länge 10 µm und die Seitenwände sind 500 nm dünn.

Sensoren für die Viskositätsmessung in Flüssigkeiten
Die NEMS-Strukturen bestehen aus einem 250 nm, in der Länge variierenden 2 – 240 µm, dünnen Resonatorbalken bestehend aus 200 nm SiC und 50 nm Metallisierung.

Ätzen von SiC / Si Strukturen mit hohen Aspektverhältnis und glatter Oberfläche
Für Anwendungen bei der Herstellung von Wellenleitern für Anwendungen in der Optik und Kommunikationstechnik


Referenz:
Technische Universität Ilmenau, Zentrum für Mikro- und Nanotechnologie



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für Anwendungen in der Photovoltaik

Dry textured silicon surface (courtesy of Fraunhofer-ISE)

• Für die trockene Texturierung von Solarzellenwafern und für die Phosphorglasentfernung

• In-line-Prozess mit Mittelfrequenzplasmaquellen

• Fluorchemie

• PSG-Ätzrate 20…100 nm/min



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