News:   31.03.2010
Erster Nachhaltigkeitsbericht der Roth & Rau...
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Ad-hoc-Meldungen:   10.02.2010
Roth & Rau AG: 1.379.999 Aktien mit einem...
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Pressemitteilung:   13.08.2010
Roth & Rau AG schließt erstes Halbjahr 2010 erfolgreich ab...
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Für optische und... Als Verschleissschutzschicht...
Siliziumoxid / Siliziumnitrid –... Siliziumkarbid – PECVD
Siliziumnitrid für die...
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  Konzern
Roth & Rau AG
SLS Solarline GmbH
51%
Dünnschicht Solar GmbH
100%
AIS Automation GmbH
100%
Muegge-electronic GmbH
100%
Roth & Rau Microsys. GmbH
100%
Roth & Rau Italy
100%
CTF Solar GmbH
100%
Shanghai Trading Co. Ltd.
100%
Singapore Pte. Ltd.
100%
Korea Co. Ltd.
100%
Roth & Rau Ortner
100%
Switzerland AG
100%
Australia Pty Ltd.
100%
Romaric Corporation
100%
USA Inc.
100%
India Pvt. Ltd.
100%
 
01 High Tech für Oberflächen
 
 
Innovative Produkte und Technologien für zukunftsorientierte Anwendungen
 
     
Für optische und elektronische Anwendungen



• C2H2 oder CH4 basierter PECVD-Process

• 300mm-Parallelplattenanordnung (13,56 MHz)

• Substrattemperatur < 150°C

• Depositionsrate: 1 µm/h

• Verwendung als Antireflexschicht auf optischen Komponenten im Infrarotbereich (Nachtsichtgeräte, Distanzsensoren u.ä.) und als Passivierungsschicht für planare p-n-Übergänge in der Mikroelektronik


Downloads:

11729342351.pdf (274 kB)
DLC Presentation Roth & Rau

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MicroSys

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Als Verschleissschutzschicht (“Trockenschmierschicht”) auf Werkzeugen und Bauteilen



• Kontrollierbare Schichteigenschaften von diamantähnlich harten Schichten bis graphit- oder polymerartigen Schichten mit niedrigem Reibkoeffizient

• C2H2 basierter großflächiger ECR-PECVD-Prozess

• Depositionsrate: 1 µm/h


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Siliziumoxid / Siliziumnitrid – PECVD



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Siliziumkarbid – PECVD



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Large Area Plasma

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Siliziumnitrid für die Photovoltaik – PECVD



• industriell genutzt als Antireflexschicht und für die Oberflächen- und Volumenpassivierung von kristallinen Siliziumsolarzellen

• großflächiger oder In-line-Mikrowellenplasmaprozess

• Prozessgase SiH4 / NH3 in verschiedener Zusammensetzung

• Brechungsindex einstellbar von 1,9 bis 2,2

• Depositionsrate 20…100 nm/min


Links:
ECR- und ICP-Quellen Generell
SiNA®
Large Area Plasma

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